Евразийский химический рынок
Поиск
13.05.2022
12.05.2022
11.05.2022
Главная » Патенты » Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты и устройство для его осуществления (варианты)

Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты и устройство для его осуществления (варианты)

1. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения перерабатывают в плазме концентрированного высокочастотного разряда с частотой 1-800 кГц при температуре 700-3000°С путем подачи смеси кремнийсодержащих соединений с несущим газом по коаксиальной трубе из чистого кремния с изолированным центральным электродом из чистого кремния, присоединения центрального электрода к потенциальному выводу высокочастотного резонансного трансформатора мощностью 1-1000 кВт, напряжением 10-1000 кВ, зажигания плазменного разряда в струе кремнийсодержащих соединений между центральным электродом и стенками коаксиальной трубы, а также между центральным электродом и расположенным с зазором осесимметрично к центральному электроду подложкой-мишенью.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стенки и центральный электрод коаксиальной трубы из кремния соединяют с высоковольтным выводом резонансного высокочастотного трансформатора, а плазменный разряд формируют между коаксиальной трубой из кремния и подложкой-мишенью.

3. Способ по п.1,отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.

6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.

7. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.

8. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.

9. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения перерабатывают в плазме концентрированного высокочастотного разряда с частотой 1-800 кГц при температуре 700-3000°С путем подачи смеси кремнийсодержащих соединений с несущим газом по трубе из чистого кремния, присоединения к потенциальному выводу высокочастотного резонансного трансформатора мощностью 1-1000 кВт, напряжением 10-1000 кВ, зажигания плазменного разряда в струе кремнийсодержащих соединений между стенками трубы и расположенным с зазором осесимметрично к центральному электроду подложкой-мишенью.

10. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.

11. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.

12. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.

13. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.

14. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.

15. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.

16. Способ получения поликристаллического кремния путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения перерабатывают в плазме концентрированного высокочастотного разряда с частотой 1-800 кГц при температуре 700-3000°С путем присоединения центрального электрода к потенциальному выводу высокочастотного резонансного трансформатора мощностью 1-1000 кВт, напряжением 10-1000 кВ, зажигания плазменного разряда в струе кремнийсодержащих соединений между центральным электродом и расположенным с зазором осесимметрично к центральному электроду подложкой-мишенью, а кремнийсодержащие соединения подают по одной или нескольким трубам из кремния, установленным под углом 5-20° к оси камеры таким образом, чтобы оси центрального электрода и каждой из труб пересекались на поверхности подложки-мишени.

17. Способ по п.16, отличающийся тем, что несколько электродов из кремния устанавливают по образующей цилиндра и зажигают цилиндрический плазменный разряд между электродами и подложкой-мишенью, а кремнийсодержащие соединения подают по оси цилиндрического разряда.

18. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.

19. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.

20. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.

21. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.

22. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц ОЛ-100 мкм.

23. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.

24. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что создают плазменный разряд с частотой 1-800 кГц с температурой 700-3000°С между n - охлаждаемыми электродами из чистого кремния, где n=2, 3, 4, 5...k, и подложкой-мишенью путем размещения электродов осесимметрично под углом к оси камеры и присоединения всех n-электродов к высоковольтному выводу высокочастотного резонансного трансформатора мощностью 1-1000 кВт, напряжением 10-1000 кВ.

25. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.

26. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.

27. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.

28. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.

29. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.

30. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.

31. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения подают в струе несущего газа по коаксиальной трубе из чистого кремния вдоль оси реакционной камеры, присоединяют центральный электрод коаксиальной трубы из чистого кремния к одному из выводов спирального четвертьволнового электрического волновода, производят накачку высокочастотной электромагнитной энергии с частотой 1-800 кГц, напряжением 10-1000 кВ в спиральном четвертьволновом волноводе от высокочастотного трансформатора мощностью 1-1000 кВт, зажигают плазменный разряд электромагнитной высокочастотной энергии путем подачи электрической энергии от электрического волновода через центральный электрод из кремния по оси реакционной камеры в струе кремнийсодержащих соединений и фокусируют плазменный высокочастотный разряд от электрического спирального волновода вдоль оси реакционной камеры путем расположения обмоток спирального волновода вокруг реакционной камеры.

32. Способ по п.31, отличающийся тем, что создают плазменный разряд с температурой 2000°С между n - охлаждаемыми электродами из чистого кремния, где n=2, 3, 4, 5...k, и подложкой-мишенью путем размещения электродов осесимметрично под углом к оси камеры и присоединения всех k-электродов к высоковольтному выводу четвертьволнового электрического волновода и сжимают плазменный разряд путем размещения обмотки электрического волновода вокруг стенок реакционной камеры в пространстве между электродами и подложкой-мишенью.

33. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.

34. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.

35. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.

36. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.

37. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.

38. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.

39. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения перерабатывают с получением поликристаллического кремния в плазме с температурой 700-3000°С из двух высокочастотных разрядов с двумя частотами в диапазоне 1-800 кГц, отличающимися друг от друга по частоте в 2-20 раз, путем подачи смеси кремнийсодержащих соединений с несущим газом по двум коаксиальным трубам с центральными электродами из чистого кремния, присоединения каждого центрального электрода, каждой кремниевой коаксиальной трубы к высоковольтному выводу одного из двух высокочастотных резонансных трансформаторов Тесла электрической мощностью 1-1000 кВт с частотой 1-800 кГц, причем частоты каждого из двух резонансных трансформаторов отличаются друг от друга в 2-20 раз, зажигания и усиления плазменного разряда за счет взаимодействия двух плазменных пучков с различными частотами с экраном из чистого кремния.

40. Способ по п.39, отличающийся тем, что плазменные пучки от двух электродов из чистого кремния располагают под некоторым углом друг к другу и плоскости подложки-мишени.

41. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.

42. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.

43. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.

44. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.

45. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.

46. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.

47. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения перерабатывают в плазме при температуре 700-3000°С путем присоединения каждого из двух центральных кремниевых электродов к высоковольтному выводу одного из двух спиральных четвертьволновых электрических волноводов, накачки каждого электрического волновода от одного из двух резонансных высокочастотных трансформаторов мощностью 1-1000 кВт в диапазоне частот 1-800 кГц, причем частоты каждого из двух электрических волноводов отличаются друг от друга в 2-20 раз, зажигания двух плазменных разрядов электромагнитной высокочастотной энергии путем подачи электрической энергии от каждого из двух электрических волноводов через каждый из двух центральных электродов коаксиальных труб из кремния в струе кремнийсодержащих соединений по оси реакционной камеры.

48. Способ по п.47, отличающийся тем, что высоковольтный вывод каждого из двух спиральных четвертьволновых волноводов присоединяют к высоковольтным выводам одного высоковольтного резонансного трансформатора, а фокусирование каждого плазменного высокочастотного разряда от каждого спирального электрического волновода вдоль оси реакционной камеры осуществляют путем расположения обмоток спиральных волноводов вокруг реакционной камеры и усиления плазменного разряда за счет взаимодействия двух плазменных пучков с разными частотами.

49. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.

50. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.

51. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.

52. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве кремпийсодержащих соединений используют алкоксиланы триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.

53. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.

54. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.

55. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов разложения и высокочастотный генератор для получения плазменного разряда, отличающееся тем, что высокочастотный генератор выполнен в виде резонансного высокочастотного трансформатора электрической мощностью 1-1000 кВт с частотой 1-800 кГц, напряжением 1-1000 кВ, соединенного высоковольтным выводом с изолированным центральным электродом коаксиальной трубы из чистого кремния, установленной вдоль оси внутри одного из оснований реакционной камеры, коаксиальная труба из кремния совмещена с устройством для подачи реагентов в реакционную камеру, а на противоположном основании реакционной камеры установлена подложка-мишень из чистого кремния.

56. Устройство по п.55, отличающееся тем, что высоковольтный вывод высокочастотного трансформатора соединен с центральным электродом и коаксиальной трубой из чистого кремния, а подложка-мишень соединена с естественной емкостью в виде изолированного проводящего тела или с землей.

57. Устройство по п.55, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.

58. Устройство по п.55, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.

59. Устройство по п.55, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.

60. Устройство по п.55, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.

61. Устройство по п.55, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.

62. Устройство по п.55, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрическая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.

63. Устройство п.55, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.

64. Устройство по п.55, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.

65. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов разложения и высокочастотный генератор для получения плазменного разряда, отличающееся тем, что высоковольтный вывод высокочастотного трансформатора соединен с установленным по оси камеры электродом из чистого кремния, а реакционная камера снабжена одной или несколькими трубами их чистого кремния для подачи кремнийсодержащих соединений, указанные трубы установлены под углом 5-20° к оси камеры, а ось электрода из чистого кремния и оси каждой из труб пересекаются в одной точке на поверхности подложки-мишени, выполненной в виде тигля.

66. Устройство по п.65, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.

67. Устройство по п.65, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.

68. Устройство по п.65, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.

69. Устройство по п.65, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.

70. Устройство по п.65, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.

71. Устройство по п.65, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрическая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.

72. Устройство по п.65, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.

73. Устройство по п.65, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.

74. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов разложения и высокочастотный генератор для получения плазменного разряда, отличающееся тем, что высоковольтный вывод высокочастотного трансформатора соединен с n - охлаждаемыми электродами из чистого кремния, где n=2, 3, 4, 5...k, указанные электроды установлены осесимметрично в виде усеченного конуса под углом к оси камеры, а пространство по оси камеры совмещено с устройством для подачи кремнийсодержащих соединений.

75. Устройство по п.74, отличающееся тем, что каждый из n-охлаждаемых электродов из чистого кремния присоединен к высоковольтному выводу своего собственного резонансного трансформатора.

76. Устройство по п.74, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.

77. Устройство по п.74, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.

78. Устройство по п.74, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.

79. Устройство по п.74, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.

80. Устройство по п.74, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.

81. Устройство по п.74, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрическая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.

82. Устройство по п.74, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.

83. Устройство по п.74, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.

84. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов разложения и высокочастотный генератор для получения плазменного разряда, отличающееся тем, что высокочастотный резонансный трансформатор электрической мощностью 1-1000 кВт, частотой 1-800 кГц и напряжением 1-1000 кВ подключен своим высоковольтным выводом к трубчатому электроду из чистого кремния, установленному вдоль оси реакционной камеры, трубчатый электрод совмещен с устройством для подачи кремнийсодержащих реагентов, а на торцах реакционной камеры установлены подложки-мишени.

85. Устройство по п.84, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.

86. Устройство по п.84, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.

87. Устройство по п.84, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.

88. Устройство по п.84, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.

89. Устройство по п.84, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.

90. Устройство по п.84, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрическая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.

91. Устройство по п.84, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.

92. Устройство по п.84, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.

93. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов реакции и высокочастотный генератор, отличающееся тем, что высокочастотный генератор выполнен в виде резонансного генератора, высоковольтный вывод которого соединен со входом спирального четвертьволнового электрического волновода, установленного снаружи вокруг реакционной камеры, а высоковольтный вывод электрического волновода соединен с центральным электродом коаксиальной трубы из чистого кремния, установленной коаксиально вдоль оси внутри одного из оснований реакционной камеры, коаксиальная труба совмещена с устройством для подачи реагентов, а в торцах реакционной камеры установлены подложки-мишени.

94. Устройство по п.93, отличающееся тем, что каждый из n-охлаждаемых электродов из чистого кремния подключен к высоковольтному выводу электрического волновода, электрический волновод размещен вокруг реакционной камеры в пространстве между электродами и тиглем и подключен к высоковольтному выводу резонансного высокочастотного трансформатора.

95. Устройство по п.93, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.

96. Устройство по п.93, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.

97. Устройство по п.93, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.

98. Устройство по п.93, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.

99. Устройство по п.93, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.

100. Устройство по п.93, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрическая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.

101. Устройство по п.93, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.

102. Устройство по п.93, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.

103. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов реакции и высокочастотный генератор для получения плазменного разряда, отличающееся тем, что высокочастотный генератор содержит два высокочастотных резонансных трансформатора электрической мощностью 1-1000 кВт, с частотой 1-800 кГц, каждый из которых соединен высоковольтным выводом со входом одного из двух спиральных четвертьволновых электрических волноводов с частотой в пределах 1-800 кГц, причем резонансные частоты спиральных электрических волноводов отличаются в 2-20 раз, электрические волноводы установлены снаружи вокруг разных частей реакционной камеры, а каждый из высоковольтных выводов каждого электрического волноводаприсоединен к одной из двух труб из чистого кремния, установленных внутри по оси реакционной камеры в противоположных частях реакционной камеры, коаксиальные трубы из кремния совмещены с устройством для подачи реагентов в реакционную камеру, а в торцах реакционной камеры установлены подложки-мишени.

104. Устройство по п.103, отличающееся тем, что вход каждого из двух спиральных четвертьволновых электрических волноводов присоединен к одному из двух выводов высоковольтной обмотки одного высокочастотного резонансного трансформатора.

105. Устройство по п.103, отличающееся тем, что высоковольтный вывод каждого из двух резонансных высокочастотных трансформаторов Тесла электрической мощностью 1-1000 кВт, частотой 1-800 кГц и напряжением 1-1000 кВ присоединен к одному из трубчатых электродов из чистого кремния, а высоковольтные обмотки трансформаторов установлены вокруг стенок реакционной камеры и их частоты отличаются в 2-20 раз.

106. Устройство по п.103, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.

107. Устройство по п.103, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.

108. Устройство по п.103, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.

109. Устройство по п.103, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.

110. Устройство по п.103, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.

111. Устройство по п.103, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрпческая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.

112. Устройство для по п.103, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.

113. Устройство кремния по п.103, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.

 

Наши партнёры
ТПК «ИНФРАХИМ» CREON Group
Конференции и выставки, проводимые при информационной поддержке журнала «Евразийский химический рынок»
Полимеры России и СНГ: строительство и модернизация заводов Интерпластика 2022 СПГ Конгресс Россия 2022 «Логистика химической промышленности» -CHEMICAL SC-2022 «Ингредиенты и добавки» Азот Синтезгаз Россия и СНГ Rosmould | Rosplast 2022